仪器设备 仪器展示

技术指标: 1、测量技术：采用改进型瞬态平面热源法，可单面探头直接测试的无损检测技术。2、测定范围：0-500W/mK。3、温度范围：-50℃-200℃。4、测量时间：0.8-2.5s。5、测量精度：1%。6、测试样品范围：固体、...

技术指标: 1、温度范围：-100℃—500℃。2、采样速率：2MHZ。3、两种检测器：锑化铟（InSb）：室温-500℃；碲镉汞（MCT）：-100℃-500℃。4、气氛：可选择三联的固定流量开关和三路质量流量控制器（一路保护气，...

技术指标: 1、温度范围：-170°C-600 /700°C；温度重复性：± 0.01°C（标准金属）；温度准确度：0.1°C（标准金属）；升/降温速率：0.001K/min -500K/min。2、In响应比率：>100 mW/K。3、DSC量程：750 mW。4、热焓灵...

技术指标:1、全套石英器件，4条独立控制气路（氩气、氢气、高、低流量甲烷），气体泄漏探测器。2、独立三温区，最高温度1100℃，恒温均匀性小于0.5℃。3、不小于98%面积的单层石墨烯。4、100mtorr至500torr真空可...

技术指标：1、反应腔室本底真空： ≤ 1×10-6mbar。2、反应腔衬底加热温度：20~350℃。3、ICP源功率范围：100~1200W。4、沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅。5、厚度均匀性：±5%（8英寸片）。应用领域:适用于低温...

技术指标:1、带手动基片传片器。2、热ALD和PEALD两种模式。3、热反应腔最大直径：200mm，最高加热温度：500℃。4、等离子反应腔最大直径：200mm，最高加热温度：450℃。5、样品尺寸：8英寸及以下。6、沉积材料：...

技术指标:掩模版适用尺寸：五英寸；基片尺寸：4英寸及以下不规则形状基片；汞灯功率：350W；分辨率：2μm。应用领域:单面对准曝光。

技术指标:1、3支3英寸磁控溅射靶。2、基片加热器采用高温加热材料，最高温度可达到600℃。3、真空性能：A. 极限真空(Ultimate Pressure):1E-7Torr；B. 真空抽速：30分钟从大气压抽到5E-6Torr；C.真空室漏率：5E-5...

技术指标:1、本底真空：<1x10-6 mbar(7.6x10-4 mTorr)。2、6路气体：六氟化硫、三氟甲烷、氩气、氧气、氮气（吹扫用）、氦气（背冷却用）。3、样品通过预真空室装载，碎片需使用载片器（托盘）。取-放系统保证了...

技术指标:激光功率：≥150W；功率稳定性：≤3％；激光束品质：M2≤1.2；聚焦光斑直径：≥30μm；行程：400x400mm；最大移动速度：800 ㎜/s。应用领域:该激光划片机用于硅片、对2mm以内的不锈钢、铝，1mm以内的蓝...

技术指标:1、形变噪音：<20pm；2、XY传感器噪音：<60pm；Z传感器噪音：<50pm。使用大范围扫描(>1μm)的反馈增益设置仍可以在闭环扫描条件下得到清晰的原子晶格结构（<10nm）。应用领域:纳米AFM成像及纳米结构的电...

技术指标:1、光谱灵敏度：Si的三阶峰信噪比好于15:1，能检测到Si的四阶峰。2、光谱重复性：≤ +/-0.2cm-1。3、光谱分辨率：≤1.5cm-1。应用领域:主要用于物质的结构测定、成分分析和物理化学性质的测定。